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《路透社》18日引述消息獨家報道，中國科學家今年初已於深圳實驗室成功建造一台極紫外光（EUV）光刻機的原型機，目前正在測試階段；原型機雖然尚未生產出實用晶片，但此進展已比許多分析人士預期中國在晶片領域趕上西方需要十年的時間要短。

今件初已成功建造原型機

《路透社》（Reuters）18日引述消息獨家報道，中國科學家已在深圳成功建造出一台極紫外光（EUV）光刻機的原型機，該原型機已於2025年初完成，目前正進行測試階段，體積幾乎佔據整個工廠車間。

報道指，該原型機由荷蘭晶片設備製造商ASML前工程師團隊打造，對ASML生產的EUV光刻技術進行逆向工程。現時該部中國EUV光刻機已能運行並成功產生極紫外光，但尚未生產出可用的晶片，相關人士透露，原型機可能要到2030年才實現晶片量產。報道認為，此進展已比許多分析人士預期中國在晶片領域趕上西方需要十年的時間為短。

反映光刻機中國進度超前

美國自2018年起施壓荷蘭，禁止ASML向中國出口EUV設備，並於2022年擴大出口管制，涵蓋較舊的深紫外光（DUV）光刻機，旨在讓中國晶片技術落後一代。 儘管如此，中國透過二手市場取得零件、招募海外專家（如前ASML華裔工程師），並利用本土研究機構如中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（CIOMP）的突破逐步推進。 ASML執行長克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）今年4月曾表示，中國需要「很多年」才能掌握此技術，但這款原型機的存在反映中國進度超前。

如同中國版本曼哈頓計畫

報道指，該計畫屬於國家半導體戰略範疇，由中央科技委員會主任丁薛祥負責執行。知情人士稱，中國電子巨頭華為在協調遍布全國的公司和國家科研機構網絡中發揮關鍵作用，該網絡涉及數千名工程師。

報道形容該計畫如同中國版本的「曼哈頓計畫」（美國二戰時開發原子彈的計劃），又引述知情人士指，中國的目標是最終能夠使用完全中國製造的機器生產先進晶片，將美國徹底逐出其供應鏈。目前華為、中國國務院、中國駐華盛頓大使館和中國工業和信息化部均未回應《路透社》置評請求。