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（SIA網站擷圖）
美國在 2022 年通過《晶片與科學法案》，吸引晶片製造企赴美設廠籍此降低供應鏈集中在東亞的依賴，並提振美國本土的製造業。美國半導體產業協會（SIA）與波士頓顧問集團（BCG）5 月 8 日發布最新報告，樂觀預估受益於該法案，到 2032 年美國半導體產能將增加 2 倍，先進製程佔比更有望提升至全球產量近 3 成。
報告指出，美國雖在晶片設計和研發方面保持領先地位，但在製造方面僅佔全球晶片產能的 10%，先進製程（10 納米以下）晶片的產能佔比更是零，如今受惠晶片法案，預計美國晶圓廠的產能在未來 10 年將增加 203%，增幅領先全球，到 2032 年前，美國晶片產能將可佔全球總量的 14%。
報告又指，在未來 8 年時間裡，美國將有能力製造全球 28% 的 10 納米以下晶片，僅次於台灣的 31%。如果沒有晶片法案，2032 年美國先進晶片產能只會佔全球的 8%。
報告中提及，在晶片法案的激勵措施下，相關產業的投資有望重振美國半導體製造業，並加強美國晶片供應鏈。自法案通過以來，美國 25 個州中已有逾 80 多個半導體相關產業的投資項目，私人投資總額近 4500 億美元，創造超過 5.6 萬個職缺，並為美國經濟提供數十萬個產業鏈的就業機會。
SIA 總裁兼執行長諾伊弗（John Neuffer）表示，晶片法案已使美國走上了明顯加強國內半導體生產和研發的道路，但仍需有進一步加強供應鏈、支持研發和晶片設計、發展晶片產業的政策行動以及培養相關人才。
預估中國只能生產全球 2% 先進製程晶片
報告也題到中國晶片製造能力，指目前中國和美國一樣都沒有製造 10 納米以下先進晶片的能力。中國雖然推出了超過 1420 億美元的政府措施來刺激國內半導體產業，但 10 年後先進晶片產能卻只能佔全球 2%。
為此，諾伊弗給出原因是「中國似乎在傳統製程晶片投入了更多精力」。他稱中國製造的 10 至 22 納米晶片，到 2032 年在全球產能佔比將從目前的 6% 增加到 19%；而在 28 納米以上的晶片，中國的產能有能力將全球佔比從 33% 增加到 37%。
與此同時，美國對中國半導體出口的壓制，尤其是對最先進晶片、以及晶片製造設備的管制，也是中國尖端晶片在 10 年後產能佔比會大大落後於美國的原因。
近月以來，美國商務部長雷蒙多呼籲政府推出《晶片與科學法案2.0》、或者透過某種形式繼續投資，以便維持美國在半導體的領先地位。