長鑫存儲總裁曹堪宇於10月12日在上海一場行業會議上披露，公司計劃於2026年底前推出基於4F²架構的DDR5 RDIMM服務器內存產品。（社交媒體圖片）

中國存儲芯片企業長鑫存儲接連拋出兩項重大技術進展，在全球半導體市場引發震蕩。繼9月宣佈第五代DRAM技術平台（G5平台）正式量產之後，長鑫存儲總裁曹堪宇於10月12日在上海一場行業會議上披露，公司計劃於2026年底前推出基於4F²架構的DDR5 RDIMM服務器內存產品。兩項技術突破疊加，導致美、日、韓存儲企業擔心存儲芯片定價權與技術主導權的更迭。

兩項核心技術突破

長鑫存儲此次披露的兩項技術進展，分別指向製造工藝與芯片架構兩個維度。

在製造工藝端，長鑫存儲9月公布的G5平台依託創新的四重曝光技術，將內存陣列有源區半間距微縮至11.95納米，接近全球最頂尖的內存量產平台制程。通過變革工藝流程並採用新材料，將芯片的核心功能區高度縮小至6762納米。微縮工藝的突破使每片晶圓產出裸片數量較上一代提升至少50%，在產品能效與成本控制上均具備顯著優勢。

（長鑫存儲官網擷圖）

4F²技術則是存儲芯片架構的突破。當前DRAM行業主流架構為6F²，而4F²可將單位存儲單元面積縮小約三分之一，在相同面積內多容納約50%的存儲單元。該架構的核心是長鑫自主研發的垂直環繞柵極晶體管，通過讓柵極垂直環繞通道，有效改善漏電流和短溝道效應，從而提升存儲密度。曹堪宇透露，長鑫已積累超過300項與4F²架構相關的專利。

4F²架構的商業化標誌著DRAM行業正從制程微縮轉向架構創新的新賽道。全球前三大存儲廠商雖也在推進各自的4F²或類似3D DRAM路線圖，但均尚未實現大規模商業化。若長鑫如期推出4F²產品，將在下一代存儲技術競賽中搶佔先發位置。

When China figures out how to manufacture a product, their ability to scale is often greater than the rest of the world combined. We saw this with lithium batteries and solar, for example. SpaceX is a rare counter-example, where its mass to orbit is roughly an order of magnitude greater than the rest of the world, BUT China now does a majority of non-SpaceX mass to orbit. SpaceX is an anomaly in the matrix. Maybe RAM will be different, but RAM was a low margin commodity only ~3 years ago. LP5 and LP6 are designed to a common standard that China seems to be solving fast. Newer HBM architectures and things like an SRAM layer below logic and 3D stacking RAM on top of logic while finding a way to keep the logic cooled will be harder to solve.

— Elon Musk (@elonmusk) October 12, 2026

有望緩解全球DRAM供應不足問題

從產品定位看，長鑫正從消費電子市場向服務器內存領域拓展。此前，服務器DRAM市場長期由三星、SK海力士和美光三大生產商主導，長鑫的進入有望打破這一格局。同時，G5平台已支撐LPDDR5X產品實現量產，單顆容量達24Gb，較上一代同類型產品提升50%，目前已進入中國主流旗艦智能手機供應鏈。

目前長鑫全球DRAM市場份額已升至約10%，較一年前的約4%翻倍以上，三星、SK海力士和美光合計份額從94%降至87%。

自去年第三季起，受到AI芯片需求旺盛拉動，DRAM三大生產商將產能傾斜至AI芯片內部使用的HBM，導致DRAM供應不足，造成全球消費性電子產品包括手機、個人電腦等大幅漲價。長鑫在DRAM方面的技術突破後，若能在產能與良率上追上，有望緩解全球DRAM供應不足問題。

今年8月，長鑫亦公布開始量產LPDDR6芯片，是全球首家存儲芯片廠實現該類芯片的量產。首個客戶是小米，已用在其最新的摺疊旗艦手機「小米18 Fold」。（新華社圖片）